IXFT36N60P
Framleiðandi Vöru númer:

IXFT36N60P

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXFT36N60P-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 36A TO268
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Birgðir:

12914556
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXFT36N60P Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
650W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-268AA
Pakki / hulstur
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grunnvörunúmer
IXFT36

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI3417DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFR9310TRPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI7635DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFL210TRPBF

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223