Framleiðandi Vöru númer:
SI3417DV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3417DV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
17097 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914559
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3417DV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1350 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3417
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3417DV-T1-GE3CT
SI3417DV-T1-GE3TR
SI3417DV-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR9310TRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI7635DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
IRFL210TRPBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
