Framleiðandi Vöru númer:
SI2316DS-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2316DS-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
13501 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914571
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2316DS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
215 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
700mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2316
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2316DST1E3
SI2316DS-T1-E3DKR
SI2316DS-T1-E3TR
SI2316DS-T1-E3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLR014TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFPC60PBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
