Framleiðandi Vöru númer:
SI4156DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4156DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
4847 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915116
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4156DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4156
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4156DYT1GE3
SI4156DY-T1-GE3CT
SI4156DY-T1-GE3TR
SI4156DY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
SI3456DDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
IRFR9120
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
