Framleiðandi Vöru númer:
SI7888DP-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7888DP-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12915129
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7888DP-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7888
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
CSD17327Q5A
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
2500
HLUTARNÁMR
CSD17327Q5A-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS1E130GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1178
HLUTARNÁMR
RS1E130GNTB-DG
Einingaverð
0.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SIR172ADP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2689
HLUTARNÁMR
SIR172ADP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI1305DL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
SI2323DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
