Framleiðandi Vöru númer:
SI3460BDV-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3460BDV-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912469
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3460BDV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
860 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3460
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3460BDV-T1-GE3-DG
SI3460BDV-T1-GE3TR
SI3460BDV-T1-GE3DKR
SI3460BDV-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA427ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRLR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFRC20TRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
