Framleiðandi Vöru númer:
SIA427ADJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA427ADJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
16294 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12912471
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA427ADJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2300 pF @ 4 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA427
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA427ADJ-T1-GE3DKR
SIA427ADJ-T1-GE3TR
SIA427ADJ-T1-GE3CT
SIA427ADJ-T1-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFRC20TRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
IRFL014TR
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
