Framleiðandi Vöru númer:
SI3459DV-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3459DV-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 2.2A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
12912322
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3459DV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3459
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3459DV-T1-E3CT
SI3459DVT1E3
SI3459DV-T1-E3TR
SI3459DV-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI3459BDV-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
41538
HLUTARNÁMR
SI3459BDV-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4487DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO
IRFR9310TRLPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3