SI3459BDV-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI3459BDV-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI3459BDV-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Birgðir:

41538 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12915185

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI3459BDV-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

60 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

216mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

350 pF @ 30 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2W (Ta), 3.3W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

6-TSOP

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grunnvörunúmer

SI3459

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI3459BDV-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SI3459BDV-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI3459BDV-T1-GE3CT

SI3459BDVT1GE3

SI3459BDV-T1-GE3DKR

SI3459BDV-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI1037X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 770MA SC89

vishay-siliconix

SI4483EDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

littelfuse

IXFX80N50P

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3

vishay-siliconix

IRFRC20

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK