Framleiðandi Vöru númer:
SI3458BDV-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI3458BDV-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Birgðir:
7365 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914153
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI3458BDV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-TSOP
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grunnvörunúmer
SI3458
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI3458BDV-T1-E3TR
SI3458BDV-T1-E3DKR
SI3458BDV-T1-E3CT
SI3458BDVT1E3
SI3458BDV-T1-E3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
