Framleiðandi Vöru númer:
SI1304BDL-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1304BDL-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Birgðir:
12914154
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1304BDL-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
100 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
340mW (Ta), 370mW (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SC-70-3
Pakki / hulstur
SC-70, SOT-323
Grunnvörunúmer
SI1304
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1304BDL-T1-GE3DKR
SI1304BDLT1GE3
SI1304BDL-T1-GE3TR
SI1304BDL-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI1308EDL-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
45442
HLUTARNÁMR
SI1308EDL-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
IRLZ24LPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
