SI3430DV-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SI3430DV-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI3430DV-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Birgðir:

13540 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12912707

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI3430DV-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

1.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

6.6 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.14W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

6-TSOP

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grunnvörunúmer

SI3430

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI3430DV-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI3430DV-T1-E3TR

SI3430DV-T1-E3DKR

SI3430DVT1E3

SI3430DV-T1-E3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRFR9214TRPBF

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

vishay-siliconix

SI7143DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR9010TRLPBF

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

SI4477DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO