Framleiðandi Vöru númer:
SI4477DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4477DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12912713
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4477DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
26.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4600 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 6.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4477
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4477DY-T1-GE3-DG
SI4477DY-T1-GE3TR
SI4477DYT1GE3
SI4477DY-T1-GE3CT
SI4477DY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI3459BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
SI7615DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
