SI2366DS-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI2366DS-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2366DS-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

19839 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916906
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI2366DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
335 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2366

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SI2366DS-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SI2366DS-T1-GE3
Gagnablöð
SI2366DS-T1-GE3

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2366DS-T1-GE3DKR
SI2366DS-T1-GE3CT
SI2366DS-T1-GE3TR
SI2366DS-T1-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SUP40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SIHG23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

vishay-siliconix

SI5486DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET

vishay-siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP