Framleiðandi Vöru númer:
SIHG23N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG23N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12916909
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG23N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2418 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TA)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG23
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFH50N60P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
386
HLUTARNÁMR
IXFH50N60P3-DG
Einingaverð
5.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPW60R190E6FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
190
HLUTARNÁMR
IPW60R190E6FKSA1-DG
Einingaverð
1.69
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5486DU-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
