SI2365EDS-T1-BE3

Framleiðandi Vöru númer:

SI2365EDS-T1-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI2365EDS-T1-BE3-DG

Lýsing:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Birgðir:

RFQ á netinu

12977831

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI2365EDS-T1-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.5A (Ta), 5.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

36 nC @ 8 V

Vgs (hámark)

±8V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SOT-23-3 (TO-236)

Pakki / hulstur

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SI2365EDS-T1-BE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIHA18N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2392ADS-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHFBF30S-GE3

MOSFET N-CHANNEL 900V

vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET