Framleiðandi Vöru númer:
SIHA18N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA18N60E-GE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 600V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
986 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977833
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA18N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
34W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHA18N60E-GE3CT
742-SIHA18N60E-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2392ADS-T1-BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
SIHFBF30S-GE3
MOSFET N-CHANNEL 900V
SI3483CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
