Framleiðandi Vöru númer:
SI1905BDH-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1905BDH-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6
Birgðir:
12912382
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1905BDH-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
630mA
Rds á (Max) @ Id, Vgs
542mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
62pF @ 4V
Kraftur - hámark
357mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
SC-70-6
Grunnvörunúmer
SI1905
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI1965DH-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5645
HLUTARNÁMR
SI1965DH-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5975DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
SI4906DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC