Framleiðandi Vöru númer:
SI1965DH-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1965DH-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Birgðir:
5645 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913373
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1965DH-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.3A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
120pF @ 6V
Kraftur - hámark
1.25W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
SC-70-6
Grunnvörunúmer
SI1965
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DH-T1-GE3DKR
SI1965DHT1GE3
SI1965DH-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4650DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
