IRFD123PBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRFD123PBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFD123PBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Birgðir:

6628 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12905629

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRFD123PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Bulk

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

1.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

16 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

360 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.3W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

4-HVMDIP

Pakki / hulstur

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grunnvörunúmer

IRFD123

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

*IRFD123PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRFP32N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

littelfuse

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

IXTY02N50D-TRL

MOSFET N-CH

diodes

ZVN4424ZTA

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3