IXTA08N100D2

Framleiðandi Vöru númer:

IXTA08N100D2

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTA08N100D2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Birgðir:

6800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12905635

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IXTA08N100D2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Littelfuse

Pakkning

Tube

Röð

Depletion

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

1000 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

800mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds á (Max) @ Id, Vgs

21Ohm @ 400mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

14.6 nC @ 5 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

325 pF @ 25 V

FET eiginleiki

Depletion Mode

Afl leiðni (hámark)

60W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263AA

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

IXTA08

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IXTA08N100D2-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

IXT(Y,A,P)08N100D2

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

IXTY02N50D-TRL

MOSFET N-CH

diodes

ZVN4424ZTA

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3

vishay-siliconix

2N7002-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

vishay-siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP