IRFB9N30APBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRFB9N30APBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRFB9N30APBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

12905553
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFB9N30APBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
300 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
96W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFB9

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFB9N30APBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
STP12NK30Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
508
HLUTARNÁMR
STP12NK30Z-DG
Einingaverð
0.99
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

ZXMN6A07FTC

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

diodes

ZXMN3F30FHTA

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

diodes

ZVP1320A

MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3

diodes

ZXMN6A08E6TC

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26