Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN6A08E6TC
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN6A08E6TC-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Birgðir:
12905571
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN6A08E6TC Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
459 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-26
Pakki / hulstur
SOT-23-6
Grunnvörunúmer
ZXMN6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
ZXMN6A08E6QTA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
5865
HLUTARNÁMR
ZXMN6A08E6QTA-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
SI3442BDV-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
26929
HLUTARNÁMR
SI3442BDV-T1-E3-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
ZXMN6A08E6TA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
33202
HLUTARNÁMR
ZXMN6A08E6TA-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZVN4306AVSTOA
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
