IRLD110PBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRLD110PBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRLD110PBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Birgðir:

4444 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12905598

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRLD110PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (hámark)

±10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

250 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.3W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

4-HVMDIP

Pakki / hulstur

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grunnvörunúmer

IRLD110

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

100

Önnur nöfn

*IRLD110PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

diodes

ZVN3310FTA

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3