IRF710PBF-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

IRF710PBF-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF710PBF-BE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

2462 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954432
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF710PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
400 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF710

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRF710PBF-BE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFL9014TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

harris-corporation

IRF353

N-CHANNEL POWER MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

XPH2R106NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP

vishay-siliconix

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO