Framleiðandi Vöru númer:
IRF353
Product Overview
Framleiðandi:
Harris Corporation
Völu númer:
IRF353-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 350 V 13A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Birgðir:
375 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954443
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF353 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
350 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3
Pakki / hulstur
TO-204AA, TO-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
70
Önnur nöfn
2156-IRF353
HARHARIRF353
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
XPH2R106NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
RF1S4N100SM9A
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
