Framleiðandi Vöru númer:
TPH3205WSB
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TPH3205WSB-DG
Lýsing:
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
13445842
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPH3205WSB Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±18V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2200 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
180
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK39N60X,S1F
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
30
HLUTARNÁMR
TK39N60X,S1F-DG
Einingaverð
3.43
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TP65H050WS
FRAMLEIÐANDI
Transphorm
Fjöldi í boði
327
HLUTARNÁMR
TP65H050WS-DG
Einingaverð
11.35
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SCT30N120
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SCT30N120-DG
Einingaverð
14.70
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFH60N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFH60N65X2-DG
Einingaverð
6.57
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STW62N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
600
HLUTARNÁMR
STW62N65M5-DG
Einingaverð
8.29
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
