Framleiðandi Vöru númer:
IXFH60N65X2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFH60N65X2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Birgðir:
12820282
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFH60N65X2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
780W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 (IXTH)
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXFH60
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW60R060P7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
60
HLUTARNÁMR
IPW60R060P7XKSA1-DG
Einingaverð
3.01
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
