Framleiðandi Vöru númer:
TPN4R203NC,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPN4R203NC,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Birgðir:
12890611
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPN4R203NC,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSVIII
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1370 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPN4R203
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
TPN4R203NCL1QDKR
TPN4R203NCL1QCT
TPN4R203NCL1QTR
TPN4R203NC,L1Q(M
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFH8324TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5744
HLUTARNÁMR
IRFH8324TRPBF-DG
Einingaverð
0.26
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMN3008SFGQ-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMN3008SFGQ-13-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB