Framleiðandi Vöru númer:
TPH2900ENH,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPH2900ENH,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Birgðir:
13703 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890620
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPH2900ENH,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSVIII-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2200 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP Advance (5x5)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPH2900
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
TPH2900ENHL1QTR
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QDKR
TPH2900ENHL1QCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
TK45P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
