Framleiðandi Vöru númer:
TPN2R805PL,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPN2R805PL,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Birgðir:
4905 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890929
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPN2R805PL,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSIX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
45 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3200 pF @ 22.5 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPN2R805
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
264-TPN2R805PL,L1QCT
264-TPN2R805PL,L1QDKR
264-TPN2R805PL,L1QTR
TPN2R805PLL1Q-DG
TPN2R805PLL1Q
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
TK60E08K3,S1X(S
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
