Framleiðandi Vöru númer:
TPN1R603PL,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPN1R603PL,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Birgðir:
49367 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890931
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPN1R603PL,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSIX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 300µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3900 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPN1R603
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
TPN1R603PLL1QDKR
TPN1R603PL,L1Q(M
TPN1R603PLL1QCT
TPN1R603PLL1QTR
TPN1R603PLL1Q
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK60E08K3,S1X(S
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK72E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
