Framleiðandi Vöru númer:
TK9J90E,S1E
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK9J90E,S1E-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Birgðir:
12890645
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
SekJ
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK9J90E,S1E Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P(N)
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
TK9J90
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
