Framleiðandi Vöru númer:
TK10Q60W,S1VQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK10Q60W,S1VQ-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak
Birgðir:
75 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890659
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK10Q60W,S1VQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
80W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I-PAK
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
TK10Q60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
TK10Q60WS1VQ
TK10Q60W,S1VQ(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
TK14A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM