Framleiðandi Vöru númer:
TK16J60W,S1VE
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK16J60W,S1VE-DG
Lýsing:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Birgðir:
44 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12966139
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK16J60W,S1VE Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
130W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P(N)
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
TK16J60
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
TK16J60W,S1VE(S
264-TK16J60WS1VE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA