Framleiðandi Vöru númer:
SISHA04DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISHA04DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 30.9A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Birgðir:
5846 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12966141
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISHA04DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30.9A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3595 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8SH
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8SH
Grunnvörunúmer
SISHA04
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
2266-SISHA04DN-T1-GE3TR
SISHA04DN-T1-GE3CT
SISHA04DN-T1-GE3TR
SISHA04DN-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
SUD90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
