SSM3K121TU

Framleiðandi Vöru númer:

SSM3K121TU

Product Overview

Framleiðandi:

Toshiba Semiconductor and Storage

Völu númer:

SSM3K121TU-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 3.5A SC70

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM

Birgðir:

RFQ á netinu

13002372

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SSM3K121TU Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

3.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 2A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

5.9 nC @ 4 V

Vgs (hámark)

±10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

400 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

500mW (Ta)

Hitastig rekstrar

150°C

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

UFM

Pakki / hulstur

3-SMD, Flat Leads

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1

Önnur nöfn

264-SSM3K121TU

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIHA150N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

utd-semiconductor

AO4485

SOP-8 MOSFETS ROHS

cambridge-gan-devices-cgd

CGD65A055S2-T07

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

vishay-siliconix

SIHK085N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST