Framleiðandi Vöru númer:
CGD65A055S2-T07
Product Overview
Framleiðandi:
Cambridge GaN Devices
Völu númer:
CGD65A055S2-T07-DG
Lýsing:
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Mikilvægar upplýsingar:
650 V 27A (Tc) Surface Mount 16-DFN (8x8)
Birgðir:
764 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13002419
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
CGD65A055S2-T07 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Cambridge GaN Devices
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ICeGaN™
Staða vöru
Active
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6 nC @ 12 V
Vgs (hámark)
+20V, -1V
FET eiginleiki
Current Sensing
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
16-DFN (8x8)
Pakki / hulstur
16-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
4768-CGD65A055S2-T07CT
4768-CGD65A055S2-T07TR
4768-CGD65A055S2-T07DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHK085N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
NTMFS4C908NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
IPT014N10N5ATMA1
TRENCH >=100V