Framleiðandi Vöru númer:
RN1965(TE85L,F)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN1965(TE85L,F)-DG
Lýsing:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Birgðir:
12889400
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN1965(TE85L,F) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
2.2kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Tíðni - Umskipti
250MHz
Kraftur - hámark
200mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
US6
Grunnvörunúmer
RN1965
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RN1965(TE85LF)DKR
RN1965(TE85LF)TR
RN1965(TE85LF)CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
MUN5235DW1T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
10031
HLUTARNÁMR
MUN5235DW1T1G-DG
Einingaverð
0.02
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DDC123JU-7-F
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
42501
HLUTARNÁMR
DDC123JU-7-F-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2962(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1609(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
