Framleiðandi Vöru númer:
RN2962(TE85L,F)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN2962(TE85L,F)-DG
Lýsing:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Birgðir:
2760 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12889404
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN2962(TE85L,F) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
10kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
10kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Tíðni - Umskipti
200MHz
Kraftur - hámark
200mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
US6
Grunnvörunúmer
RN2962
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RN2962(TE85LF)TR
RN2962(TE85LF)CT
RN2962(TE85LF)DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NSVMUN5111DW1T3G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
10000
HLUTARNÁMR
NSVMUN5111DW1T3G-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
MUN5111DW1T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
575
HLUTARNÁMR
MUN5111DW1T1G-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DDA114YU-7-F
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
5915
HLUTARNÁMR
DDA114YU-7-F-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN1609(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1706,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6