Framleiðandi Vöru númer:
2SK3564(STA4,Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
176 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890039
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2SK3564(STA4,Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
π-MOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
40W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
2SK3564
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
