Framleiðandi Vöru númer:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Birgðir:
4115 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890048
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPN4R303NL,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSVIII-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1400 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPN4R303
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS