Framleiðandi Vöru númer:
STP13N65M2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STP13N65M2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
12879367
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STP13N65M2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
MDmesh™ M2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
590 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
STP13
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
497-15555-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPP11N80C3XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
6913
HLUTARNÁMR
SPP11N80C3XKSA1-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTP8N70X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
28
HLUTARNÁMR
IXTP8N70X2-DG
Einingaverð
1.74
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FCP600N60Z
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
781
HLUTARNÁMR
FCP600N60Z-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTP8N70X2M
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
12
HLUTARNÁMR
IXTP8N70X2M-DG
Einingaverð
1.43
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STL12N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
STL24N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
STF140N8F7
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
