Framleiðandi Vöru númer:
SPP11N80C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP11N80C3XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
6913 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12807478
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP11N80C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP11N80
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP000683158
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3IN-NDR
SPP11N80C3IN-DG
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3XTIN-DG
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
