STH110N10F7-6
Framleiðandi Vöru númer:

STH110N10F7-6

Product Overview

Framleiðandi:

STMicroelectronics

Völu númer:

STH110N10F7-6-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6

Birgðir:

12946455
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

STH110N10F7-6 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
DeepGATE™, STripFET™ VII
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5117 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
H2PAK-6
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
STH110

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
-497-13837-1
-497-13837-2
497-13837-6
497-13837-2
-497-13837-6
497-13837-1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SUM70040M-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
799
HLUTARNÁMR
SUM70040M-GE3-DG
Einingaverð
1.29
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
international-rectifier

AUIRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDZ451PZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDU6N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDMS0346

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR