Framleiðandi Vöru númer:
FDU6N25
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDU6N25-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Birgðir:
17372 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946463
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDU6N25 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
UniFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I-PAK
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,211
Önnur nöfn
2156-FDU6N25
FAIFSCFDU6N25
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDMS0346
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCPF7N60YDTU
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
IPI45N06S4L08AKSA2
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET