SCTL35N65G2V
Framleiðandi Vöru númer:

SCTL35N65G2V

Product Overview

Framleiðandi:

STMicroelectronics

Völu númer:

SCTL35N65G2V-DG

Lýsing:

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Birgðir:

12948527
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SCTL35N65G2V Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+22V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
417W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
SCTL35

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
497-SCTL35N65G2VTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
rohm-semi

RX3G07CGNC16

MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB

rohm-semi

RV4E031RPHZGTCR1

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

stmicroelectronics

STL66N3LLH5

MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT

epc

EPC2219

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE