EPC2219
Framleiðandi Vöru númer:

EPC2219

Product Overview

Framleiðandi:

EPC

Völu númer:

EPC2219-DG

Lýsing:

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 65 V 500mA (Ta) Surface Mount Die

Birgðir:

8355 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12948554
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

EPC2219 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
EPC
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
65 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.064 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
-
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10 pF @ 32.5 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
Die
Pakki / hulstur
Die

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
EPC2219-DG
Gagnaplakks
EPC2219
Gagnablöð
EPC2219

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
917-EPC2219TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
epc

EPC2055

GANFET N-CH 40V 29A DIE

vishay-siliconix

IRFBC30ASPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

infineon-technologies

IPP65R190CFD7AAKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

infineon-technologies

IPDD60R105CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10