Framleiðandi Vöru númer:
2N6661
Product Overview
Framleiðandi:
Solid State Inc.
Völu númer:
2N6661-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Birgðir:
6694 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12971657
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2N6661 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Manufacturers
Pakkning
Box
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
90 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (hámark)
±40V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
50 pF @ 25 V
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-39
Pakki / hulstur
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Önnur nöfn
2383-2N6661
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI vottun
Tengdar vörur
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
