PJD4NA65_L2_00001
Framleiðandi Vöru númer:

PJD4NA65_L2_00001

Product Overview

Framleiðandi:

Panjit International Inc.

Völu númer:

PJD4NA65_L2_00001-DG

Lýsing:

650V N-CHANNEL MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4A (Ta) 77W (Tc) Surface Mount TO-252

Birgðir:

RFQ á netinu
12971676
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

PJD4NA65_L2_00001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
463 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
77W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
PJD4NA65

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
3757-PJD4NA65_L2_00001CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
panjit

PJP40N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD14P06A-AU_L2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD90N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJT7413_S2_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M